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日本ROHM公司开宣布文娱及投射照明用的高亮度(白光1.8cd)型LED厂家

加入时间:2013-10-25 录入:admin

东芝发布新式闪存LBA-NAND引证:了解硬盘的人,大概对LBA并不生疏,它即是逻辑块寻址(LogalBlockAddressing)的英文缩写,而东芝则将其与NAND闪存结为一体,于今日发布了全新的闪存宗族--LBA-NAND(当前现已被东芝注册为商标)。
东表明,LBA-NAND将LBA寻址办法与NAND闪存相联系,专门应对移动音讯技能'>电子商品,比方数字'>音频播放器与自个媒体播放器(PMP,PersonalMediaPlayers),而且仍可保存NAND闪存在出产方面的优势,将大容量商品的开发本钱降至最低。东芝将于2006年8月开端对外供给LBA-NAND样品。
当前的NAND闪存运用物理地址拜访办法来界说闪存中每一个页面的地址,寻址的进程依次是--数据块--页面--存储单元。出产商要开发主机端与驱动程序标准来辨认和供给物理地址。而当NAND闪存芯片的容量晋升后,出产商则要忍耐新的研讨与开发(R&D)本钱,来拟定新的商品标准与驱动程序以应对容量的晋升。
选用LBA办法后,每个存储单元均具有仅有的地址编号,而不是一个几许交*的节点(行、列寻址)。第一个存储单元的地址即是0,并依此类推,为每一个存储单元编号,芯片容量进步后,只需将编号向后连续。这个办法依然答应数据块办理、过错校对(ECC处置)以及均匀读写(Wear-leveling)等传统NAND闪存功用,而且一切都在主机端的操控之下,只需合作芯片上的LBA-NAND即可。LBA-NAND彻底兼容现有的NAND闪存接口,因而LBA-NAND能够让开发者以最小的本钱与时刻的价值来晋级商品的标准。
东芝以为,便携式花费电子设备对NAND闪存的需要日积月累,商品的更新换代也以及NAND闪存自身的容量增长速度都越来越快,这需要厂商们具有疾速的反响才能,关于结尾商品的开发人员来说,每逢选用新容量的NAND闪存就要更新商品规划方案,包含闪存的操控器与接口,而LBA-NAND则能够在坚持NAND原有的优势的一起,让商品规划人员能够更快的推出标准晋级的商品。
LBA-NAND当前供给2GB、4GB、8GB三种容量标准,前期的月产量为100万片。东芝表明,LBA-NAND即是为了大容量NAND规划的,因而当前不支持2GB以下的容量。新商品的作业电压为2.7V至3.6V。引证:moviNAND的一点小材料:
公司加大了的投入,日前宣称,该公司将选用60纳米技能来量产8GB的NAND闪存。据一位剖析师说,这种高密度多单元(MLC)的早在上个季度就大概推出。8GB的NAND闪存是由2个4-Gbit的管芯笔直堆嵌。三星公司量产8GB的NAND闪存可使三星为商场供给8GB的解决方案。该方案能够存储2000个MP3文件或225分钟的DVD质量的影视文件。估计该商品将在06年3季度上市。三星公司方案将其8GBNAND闪存芯片使用在MLCNAND技能中,这种技能被称为moviNAND,它可供给2-GB的解决方案。三星公司选用60纳米新技能较曾经的70纳米技能可提高出产率25%。引证:ManagedNAND有关信息:
美光科技(Micron)近来推出关于和其他便携式设备的Managed NAND闪存技能。ManagedNAND闪存运用了该公司的多芯片封装(MCP)技能,在一个小型的BGA封装中联系了高速多体卡(MMC)操控器和NAND闪存。内嵌的MMC操控器负责处置过错校对、块擦除以及缺点办理功用。
在美光科技推出集成MMC技能的Managed NAND闪存前,相应的处置使命由运行在主上的软件完成。因为ManagedNAND技能经过内部硬件完成这些使命的处置,因而缓解了主操控器的处置负荷,简化了存储子体系的规划,一起其自身高达52MB/s的速率进一步进步了体系功能。
此外,ManagedNAND经过供给标准的接口标准还进一步简化了硬件和软件的结合作业,也使存储子体系的规划进程和认证愈加简化,降低了规划复杂度。作为首要面向手机等便携式商品使用的新技能,MMC操控器与NAND闪存集成的特色有助于减小商品的尺度、加快新商品面市时刻。
美光科技战略行销和商品开发高档总监AchimHill表明:"开端供给的商品容量为1GB,估计2007年年末将能够供给8GB容量的同类商品。"该商品的首要使用目标为手机、PDA、数码相机以及游戏商品。"手机是该商品的首要使用商场,依据2005年的商场数据,手机销量超越数码相机的10倍。跟着3G网络的布置以及智能手机、照相手机的nagedNND商品的需要将敏捷上升。" 关于ManagedNAND技能的使用远景,Achim表明出十分达观的希望。当前,美光现已开端向一些要害客户供给该商品样片,估计将在2007年向
客户供给批量商品。引证:如今samsung,IM,Toshiba都宣告了自个新的制程技能。但以芯片每立方毫米所包容的容量来看,Toshiba当前居首,其次是IM和Samsung,在他们各自新的制程技能下,Toshiba是70nm8Gb,即芯片每立方毫米所包容的容量为56.53Mb,这应归功于其MLC布局;IM (50nm 4Gb) 41.8Mb;Samusng(65nm 4Gb)约为31.3Mb。





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