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剑桥投巨资加快硅基氮化镓LED研究

加入时间:2013-4-3 录入:admin

剑桥已建成一座新的设施用于生产LED所需的主要材料氮化镓(GaN),帮助研究人员扩展和加速在这个领域的开创性工作。

硅基氮化镓LED


采用氮化镓的LED已经应用于交通灯、自行车灯、电视机、电脑屏幕、汽车灯和其他设备,但因价格太高而无法在家庭和办公环境广泛使用。主要原因是GaN通常是在昂贵的基体上生长出来的,从而推高了LED灯泡的价格。剑桥的最新GaN生长反应器可帮助研究人员进一步改进在硅基体上生长低成本LED的方法,将成本降低50%以上,开启LED的更多应用。
LED技术已经相当节能,据估计如果英国所有家庭和办公室都换成LED灯,则用电需求可降低至少10%,每年电费开支可节省20亿英镑。这座新反应器所计划的深入开发每年可另外再多节省电费10亿英镑。而且,研究人员还在开发颜色可调的LED照明,可实现自然太阳光的质量,为用户健康带来很大好处。
剑桥大学科学家也着手研究GaN在功率电子器件中的潜力,预期将会取得同样显著的节能效果。这样的话还能将全国耗电量再将9%。
这座反应器由工程和物理科学研究理事会(Engineering and Physical Sciences Research Council,EPSRC)资助,由大学和科学部长David Willetts MP于3月28日揭幕。
这标志着这个将持续十年之久让LED成为最合适照明技术的研究项目进入最新篇章,该项目由剑桥大学材料科学和冶金系Sir Colin Humphreys教授领导。
 

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原文地址:http://www.odmled.com/news/77.htm
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